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TSM650N15CR RLG
扩展库- 品牌名称
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- 厂家型号
- TSM650N15CR RLG
- 商品编号
- C3288717
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000171千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@6V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@6V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):1829pF,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@6V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 输入电容(Ciss) | 1829pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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