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AP20H03NF
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP20H03NF
- 商品编号
- C3011481
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.00025千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):108pF@15V,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.82nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):19.2W,输入电容(Ciss):896pF@15V,连续漏极电流(Id):24.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.82nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 896pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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