反向传输电容(Crss):660pF,导通电阻(RDS(on)):5.7mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):184nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):89W,输入电容(Ciss):12240pF,输出电容(Coss):1050pF,连续漏极电流(Id):118A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 660pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 184nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 输入电容(Ciss) | 12240pF | |
| 输出电容(Coss) | 1050pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 118A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |