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FDMD86100
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDMD86100
- 商品编号
- C890987
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000139千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):33W,连续漏极电流(Id):39A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 配置 | 共源 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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