反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):9.3mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):1080pF,输出电容(Coss):460pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 1080pF | |
| 输出电容(Coss) | 460pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.874/个 |
| 50+ | ¥1.453/个 |
| 150+ | ¥1.272/个 |
| 500+ | ¥1.0467/个 |
| 3000+ | ¥0.946/个 |
| 6000+ | ¥0.886/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.933
3000 PCS/盘
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