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BSC160N10NS3 G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- BSC160N10NS3 G-VB
- 商品编号
- C7463910
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@7.5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):3970pF@50V,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@7.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 3970pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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