导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):82nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):9900pF@15V,连续漏极电流(Id):33A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 9900pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.61/个 |
| 10+ | ¥3.53/个 |
| 30+ | ¥3.47/个 |
| 100+ | ¥3.42/个 |
| 102+ | ¥3.42/个 |
| 104+ | ¥3.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1464
5000 PCS/盘
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