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ASDM60R042NQ-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM60R042NQ-R
- 商品编号
- C2972876
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.000281千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):33.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):113W,输入电容(Ciss):1625pF,输出电容(Coss):438pF,连续漏极电流(Id):116A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 输入电容(Ciss) | 1625pF | |
| 输出电容(Coss) | 438pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.952/个 |
| 50+ | ¥1.559/个 |
| 150+ | ¥1.391/个 |
| 500+ | ¥1.0179/个 |
| 2500+ | ¥0.924/个 |
| 4000+ | ¥0.868/个 |
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