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HYG011N04LS1C2
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HYG011N04LS1C2
- 商品编号
- C2911692
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.000175千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):58pF,导通电阻(RDS(on)):1.9mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):89nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):5876pF,输出电容(Coss):1278pF,连续漏极电流(Id):165A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | 5876pF | |
| 输出电容(Coss) | 1278pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.71/个 |
| 10+ | ¥2.96/个 |
| 30+ | ¥2.58/个 |
| 100+ | ¥2.2/个 |
| 500+ | ¥1.98/个 |
| 1000+ | ¥1.86/个 |
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