反向传输电容(Crss):147pF@20V,导通电阻(RDS(on)):0.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):131nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):5890pF@20V,连续漏极电流(Id):260A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 5890pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |