温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
ASDM40N80Q-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM40N80Q-R
- 商品编号
- C2972880
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.0002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):1560pF,输出电容(Coss):780pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输入电容(Ciss) | 1560pF | |
| 输出电容(Coss) | 780pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.29/个 |
| 50+ | ¥1.0284/个 |
| 150+ | ¥0.916/个 |
| 500+ | ¥0.776/个 |
| 2500+ | ¥0.714/个 |
| 4000+ | ¥0.676/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.62192
4000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉216.32元
送
换料费券¥300
库存总量
367 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车