反向传输电容(Crss):42pF@30V,导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):59nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):95W,输入电容(Ciss):1800pF@30V,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 输入电容(Ciss) | 1800pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.475/个 |
| 10+ | ¥2.196/个 |
| 30+ | ¥2.079/个 |
| 100+ | ¥1.926/个 |
| 500+ | ¥1.521/个 |
| 1000+ | ¥1.485/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.485
5000 PCS/盘