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G35P04D5
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G35P04D5
- 商品编号
- C5162376
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):285pF@20V,导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,35A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):3280pF,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,35A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 3280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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