反向传输电容(Crss):800pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):140nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):142W,输入电容(Ciss):12000pF@25V,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W | |
| 输入电容(Ciss) | 12000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.296/个 |
| 50+ | ¥1.793/个 |
| 150+ | ¥1.578/个 |
| 500+ | ¥1.249/个 |
| 2500+ | ¥1.129/个 |
| 5000+ | ¥1.0575/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0572
5000 PCS/盘
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