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SI7136DP-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI7136DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5240526
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.00018千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.0018Ω@10V,32A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):82nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):9900pF@15V,连续漏极电流(Id):33A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0018Ω@10V,32A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 9900pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.942/个 |
| 10+ | ¥4.862/个 |
| 30+ | ¥4.327/个 |
| 100+ | ¥3.791/个 |
| 500+ | ¥3.0685/个 |
| 1000+ | ¥2.907/个 |
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