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AP4439GMT-HF-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- AP4439GMT-HF-VB
- 商品编号
- C2680872
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):820pF,导通电阻(RDS(on)):0.008Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.009Ω@6V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):102nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):4620pF,输出电容(Coss):880pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.008Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.009Ω@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | 4620pF | |
| 输出电容(Coss) | 880pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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