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UPA2726UT1A-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- UPA2726UT1A-VB
- 商品编号
- C2680916
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1215pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.004Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.006Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):130nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):7050pF@15V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1215pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.004Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.006Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 7050pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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