反向传输电容(Crss):60pF@25V,导通电阻(RDS(on)):14.3mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1130pF@25V,输出电容(Coss):496pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.3mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 496pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.647/个 |
| 10+ | ¥1.476/个 |
| 30+ | ¥1.391/个 |
| 100+ | ¥1.311/个 |
| 500+ | ¥1.146/个 |
| 1000+ | ¥1.117/个 |
| 3000+ | ¥1.106/个 |
| 6000+ | ¥1.0944/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.106
3000 PCS/盘