传播延迟 tpHL:200ns,传播延迟 tpLH:200ns,功能特性:使能关断,功能特性:交错导通保护,功能特性:死区时间控制,功能特性:充电泵升压,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.4V~45V,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),特性:过热保护(OTP),特性:过流保护(OCP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0V~0.8V,输入高电平(VIH):2V,驱动通道数:3,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 功能特性 | 使能关断 | |
| 功能特性 | 交错导通保护 | |
| 功能特性 | 死区时间控制 | |
| 功能特性 | 充电泵升压 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.4V~45V | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 特性 | 过流保护(OCP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2V | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 驱动配置 | 三相 |