反向传输电容(Crss):165pF@30V,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):76nC@10V,漏源电压(Vdss):68V,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):3.25nF@30V,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |