反向传输电容(Crss):619pF@15V,导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,40A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):94nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):6900pF@15V,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 619pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,40A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 输入电容(Ciss) | 6900pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |