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SE120120G
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE120120G
- 商品编号
- C393146
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00335千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):28pF,导通电阻(RDS(on)):6.1mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84.7nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):5600pF@50V,连续漏极电流(Id):129A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5600pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 129A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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