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IPB073N15N5
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB073N15N5
- 商品编号
- C536520
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):37pF@75V,导通电阻(RDS(on)):7.3mΩ@10V,57A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):61nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):4700pF@75V,连续漏极电流(Id):114A,阈值电压(Vgs(th)):4.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@75V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,57A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 输入电容(Ciss) | 4700pF@75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
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