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IPB025N08N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB025N08N3 G
- 商品编号
- C536488
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001845千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):2.5mΩ@100A,10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):206nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):14200pF@40V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@270uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@100A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 14200pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@270uA |
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