反向传输电容(Crss):280pF@25V,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):116nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):183W,输入电容(Ciss):10000pF@25V,连续漏极电流(Id):114A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 输入电容(Ciss) | 10000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |