反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):42.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):125nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):297W,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):6900pF,输出电容(Coss):400pF,连续漏极电流(Id):70A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42.7mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 297W | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 6900pF | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |