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FQB12P20TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQB12P20TM
- 商品编号
- C898636
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.00184千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):470mΩ@10V,5.75A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):3.13W,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):1200pF@25V,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V,5.75A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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