反向传输电容(Crss):2.7pF@100V,导通电阻(RDS(on)):109mΩ@10V,21A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2154pF@100V,连续漏极电流(Id):37A,阈值电压(Vgs(th)):3.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 109mΩ@10V,21A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2154pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |