反向传输电容(Crss):700pF@40V,导通电阻(RDS(on)):0.0145Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):375W,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):10850pF@40V,输出电容(Coss):800pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0145Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输入电容(Ciss) | 10850pF@40V | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.48/个 |
| 10+ | ¥15.79/个 |
| 30+ | ¥13.93/个 |
| 100+ | ¥11.704/个 |
| 500+ | ¥10.992/个 |
| 800+ | ¥10.678/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.63
800 PCS/盘
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