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NVMFD5C668NLT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVMFD5C668NLT1G
- 商品编号
- C900395
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.0004千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.3nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):57.5W,输入电容(Ciss):1440pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1440pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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