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FQD12N20LTM-F085P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD12N20LTM-F085P
- 商品编号
- C903726
- 商品封装
- TO-252AA
- 商品毛重
- 0.000466千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):55W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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