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FQD30N06TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD30N06TM
- 商品编号
- C903732
- 商品封装
- TO-252AA
- 商品毛重
- 0.000085千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,11.4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):44W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):945pF@25V,连续漏极电流(Id):22.7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,11.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 945pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.67/个 |
| 10+ | ¥6.52/个 |
| 30+ | ¥6.41/个 |
| 100+ | ¥6.31/个 |
| 102+ | ¥6.31/个 |
| 104+ | ¥6.31/个 |
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