下降时间(tf):80ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:2.8V~20V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
下降时间(tf) | 80ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃ | |
工作电压 | 2.8V~20V | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.62/个 |
10+ | ¥1.99/个 |
30+ | ¥1.68/个 |
100+ | ¥1.4/个 |
500+ | ¥1.33/个 |
1000+ | ¥1.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.24
4000 PCS/盘
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