反向传输电容(Crss):22pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):136nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:-,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):6460pF,输出电容(Coss):586pF,连续漏极电流(Id):152A,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 22pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 375W | |
输入电容(Ciss) | 6460pF | |
输出电容(Coss) | 586pF | |
连续漏极电流(Id) | 152A | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |