反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,4.5A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:-,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):540pF,输出电容(Coss):445pF,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,4.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 540pF | |
输出电容(Coss) | 445pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |