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NTD5802NT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD5802NT4G
- 商品编号
- C153779
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):7.8mΩ@5V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):93.75W,输入电容(Ciss):5300pF,输出电容(Coss):850pF,连续漏极电流(Id):101A,连续漏极电流(Id):101A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@5V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 93.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 5300pF | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
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