反向传输电容(Crss):96pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):80V,类型:-,耗散功率(Pd):41.7W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):135pF,连续漏极电流(Id):21.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 96pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 41.7W | |
输入电容(Ciss) | 2900pF | |
输出电容(Coss) | 135pF | |
连续漏极电流(Id) | 21.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |