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FQPF11P06
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQPF11P06
- 商品编号
- C124443
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.00289千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):175mΩ@10V,4.3A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):550pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):8.6A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V,4.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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