反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):900mΩ@10V,4A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):48W,输入电容(Ciss):1.12nF@25V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 48W | |
输入电容(Ciss) | 1.12nF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |