反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@4.5V,50A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):74nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):142W,输入电容(Ciss):6900pF,输出电容(Coss):2700pF,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@1.0mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 130pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@4.5V,50A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 142W | |
输入电容(Ciss) | 6900pF | |
输出电容(Coss) | 2700pF | |
连续漏极电流(Id) | 150A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@1.0mA |