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VN4012L-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- VN4012L-G
- 商品编号
- C144200
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000241千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):30Ω@4.5V,100mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):110pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):160mA,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@1.0mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@4.5V,100mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@1.0mA |
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