反向传输电容(Crss):-,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):3pF,连续漏极电流(Id):50mA,阈值电压(Vgs(th)):8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 8V |