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TN0110N3-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- TN0110N3-G
- 商品编号
- C145749
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000241千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):60pF,输出电容(Coss):35pF,连续漏极电流(Id):350mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@0.5mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.5mA |
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