温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
VP0109N3-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- VP0109N3-G
- 商品编号
- C148053
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000241千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):90V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):60pF,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 90V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
7.85 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车