反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):0.95Ω@4V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):20pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95Ω@4V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0557/个 |
| 50+ | ¥0.869/个 |
| 150+ | ¥0.775/个 |
| 500+ | ¥0.705/个 |
| 2000+ | ¥0.573/个 |
| 4000+ | ¥0.545/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.52716
2000 PCS/盘
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