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VN2210N3-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- VN2210N3-G
- 商品编号
- C632601
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):350mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):740mW,输入电容(Ciss):500pF@25V,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
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