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FQN1N50CBU
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQN1N50CBU
- 商品编号
- C3281859
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000311千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.08W,耗散功率(Pd):0.89W,输入电容(Ciss):195pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):0.38A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.08W | |
| 耗散功率(Pd) | 0.89W | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.38A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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