反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@5V,750mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):150pF,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 35pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@5V,750mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 3.2W | |
输入电容(Ciss) | 150pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |