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STQ1NK80ZR-AP
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STQ1NK80ZR-AP
- 商品编号
- C501058
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 盒装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):6.7pF@25V,导通电阻(RDS(on)):16Ω@10V,0.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.7nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):160pF@25V,连续漏极电流(Id):0.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16Ω@10V,0.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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