反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):5Ω@2V,50mA,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):200pF,连续漏极电流(Id):0.53A,阈值电压(Vgs(th)):1V@1.0mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2V,50mA | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 500pF | |
输出电容(Coss) | 200pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.53A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1.0mA |